參數(shù)資料
型號(hào): IRFR024N
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=17A)
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 55V的,的Rds(on)\u003d 0.075ohm,身份證\u003d 17A條)
文件頁數(shù): 5/10頁
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代理商: IRFR024N
IRFR/U024N
www.irf.com
5
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
4.5V
+
-
V
DD
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
t
D = 0.50
0.01
0.05
0.10
0.20
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
A
T
P
t
2
1
t
DM
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2
2. Peak T = P x Z + TC
0
4
8
12
16
20
25
50
75
100
125
150
175
I
D
T , Case Temperature (°C)
A
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRFR024NTR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
IRFR024NTRL 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
IRFR024NTRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR024NTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube