參數(shù)資料
型號(hào)： IRFR220
廠(chǎng)商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 4.6A, 200V, 0.800 Ohm,N-Channel PowerMOSFET(4.6A, 200V, 0.800 Ω,nN溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 4.6 A, 200 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大?。?/td> 55K
代理商： IRFR220
4-392
FIGURE 4. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
FIGURE 5. OUTPUT CHARACTERISTICS
FIGURE 6. SATURATION CHARACTERISTICS
FIGURE 7. TRANSFER CHARACTERISTICS
FIGURE 8. DRAIN TO SOURCE ON RESISTANCE vs GATE
VOLTAGE AND DRAIN CURRENT
FIGURE 9. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE ON
RESISTANCE vs JUNCTION TEMPERATURE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
I
D
,
100
100
1
10
1
0.1
BY r
DS(ON)
AREA IS LIMITED
10
μ
s
100
μ
s
1ms
10ms
DC
SINGLE PULSE
T
J
= MAX RATED
T
C
= 25
C
I
D
,
0
20
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
40
60
80
2
4
6
8
10
100
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0
V
GS
= 5V
V
GS
= 4V
V
GS
= 6V
V
GS
= 7V
V
GS
= 10V
V
GS
= 8V
0
2
0
1
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
2
3
5
4
6
I
D
,
8
4
10
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
V
GS
= 7V
V
GS
= 6V
V
GS
= 8V
V
GS
= 4V
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0
2
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
4
6
8
10
10
1
0.1
10
-2
I
D
,
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V
DS
= 50V
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
r
D
,
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
O
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
N
3.0
1.8
1.2
0.6
0
-40
0
40
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
120
2.4
80
160
O
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V
GS
= 10V, I
D
= 2.4A
IRFR220, IRFU220
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFU220 4.6A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFR420 2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs(2.5A, 500V, 3.000 Ω, N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRFU420 2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFU420 Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.4A)
IRFU9120 5.6A, 100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(5.6A, 100V, 0.600 Ω, P溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFR220,118 功能描述:MOSFET N-CH 200V 4.8A SOT428 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:TrenchMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFR220_R4941 功能描述:MOSFET TO-252AA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR220119 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRFR2209A 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRFR2209AS2463 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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