參數(shù)資料
型號： IRFR322
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 2.6A I(D) | TO-252AA
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 400V五（巴西）直| 2.6AI（四）|對252AA
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 117K
代理商： IRFR322
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
IRFR320, IRFU320 Rev. B
FIGURE 10. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 11. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FIGURE 12. TRANSCONDUCTANCE vs DRAIN CURRENT
FIGURE 13. SOURCE TO DRAIN DIODE VOLTAGE
FIGURE 14. GATE TO SOURCE VOLTAGE vs GATE CHARGE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
N
1.25
1.05
0.95
0.85
0.75
-40
0
40
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
120
1.15
80
I
D
= 250
μ
A
160
B
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
750
600
450
300
150
01
2
5
10
2
5
10
2
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
C
OSS
C
RSS
5
4
3
2
1
00
1
2
3
4
5
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
g
f
,
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0
0.3
V
SD
, SOURCE TO DRAIN VOLTAGE (V)
0.6
0.9
1.2
100
10
1
0.1
I
S
,
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
1.5
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V
GS
= 0V
0
4
8
12
16
20
I
D
= 3.1A
Q
G(TOT)
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
G
,
20
16
12
8
4
0
V
DS
= 200V
V
DS
= 80V
V
DS
= 320V
IRFR320, IRFU320
相關PDF資料
PDF描述
IRFR3303TR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-252AA
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IRFU320A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3.1A I(D) | TO-251AA
IRFU322 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 2.6A I(D) | TO-251AA
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