參數(shù)資料
型號(hào)： IRFR3303TRL
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-252AA
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直|第33A條（丁）|對(duì)252AA
文件頁(yè)數(shù)： 3/7頁(yè)
文件大?。?/td> 117K
代理商： IRFR3303TRL
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
IRFR320, IRFU320 Rev. B
Source to Drain Diode Specifications
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Continuous Source to Drain Current
I
SD
I
SDM
Modified MOSFET
Symbol Showing the In-
tegral Reverse P-N
Junction Rectifier
-
-
3.1
A
Pulse Source to Drain Current
(Note 3)
-
-
12
A
Source to Drain Diode Voltage (Note 2)
V
SD
T
J
= 25
o
C, I
SD
= 3.1A, V
GS
= 0V,
(Figure 13)
T
J
= 25
o
C, I
SD
= 3.1A, dI
SD
/dt = 100A/
μ
s
T
J
= 25
o
C, I
SD
= 3.1A, dI
SD
/dt = 100A/
μ
s
-
-
1.6
V
Reverse Recovery Time
t
rr
120
270
600
ns
Reverse Recovery Charge
Q
RR
0.64
1.4
3.0
μ
C
NOTES:
2. Pulse test: pulse width
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2%.
3. Repetitive rating: pulse width limited by maximum junction temperature. See Transient Thermal Impedance curve (Figure 3).
4. V
DD
= 50V, starting T
J
= 25
o
C, L = 3.1mH, R
GS
= 25
,
peak I
AS
= 3.1A.
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
FIGURE 1. NORMALIZED POWER DISSIPATION vs CASE
TEMPERATURE
FIGURE 2. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs
CASE TEMPERATURE
FIGURE 3. MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
G
D
S
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
25
50
75
100
125
150
175
0
P
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
50
100
I
D
,
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
150
25
75
125
4.0
3.2
2.4
1.6
0.8
1
0.1
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
0.1
1
10
Z
θ
J
,
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
SINGLE PULSE
P
DM
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
2
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JC
x R
θ
JC
+ T
C
t
1
t
2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
0.5
10
IRFR320, IRFU320
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFR3303TRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-252AA
IRFU320A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3.1A I(D) | TO-251AA
IRFU322 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 2.6A I(D) | TO-251AA
IRFR421 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-252AA
IRFR422 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-252AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRFR3303TRR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 33A DPAK RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFR3303TRRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 30V, 33A, 31 MOHM, 19.3 NC QG, D-PAK - Tape and Reel
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