參數(shù)資料
型號(hào): IRFR3911PBF
廠商: International Rectifier
英文描述: SMPS MOSFET
中文描述: MOSFET的開關(guān)電源
文件頁數(shù): 4/10頁
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代理商: IRFR3911PBF
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
10000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
5
10
15
20
25
0
2
5
7
10
12
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
I
=
D
8.4A
V
= 20V
DS
V
= 50V
DS
V
= 80V
DS
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
VSD, Source-toDrain Voltage (V)
0.10
1.00
10.00
100.00
IS
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
1
10
100
1000
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
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PDF描述
IRFU3911PbF SMPS MOSFET
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參數(shù)描述
IRFR3911TRLPBF 功能描述:MOSFET N-CH 100V 14A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFR3911TRPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR410 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:1.5A, 500V, 7.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFR4104 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=5.5mohm, Id=42A)
IRFR4104PBF 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms 59nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube