參數(shù)資料
型號： IRFR430APBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大小： 309K
代理商： IRFR430APBF
www.irf.com
3
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.001
0.01
0.1
1
10
100
ID
4.5V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
TOP 15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
VGS
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.01
0.1
1
10
100
ID
4.5V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
TOP 15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
VGS
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
14.0
16.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
0.01
0.10
1.00
10.00
100.00
ID
(
)
TJ = 25°C
TJ = 150°C
VDS = 100V
20μs PULSE WIDTH
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
T , Junction Temperature
( C)
R
(
D
V
=
I
=
GS
D
10V
5.0A
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