參數(shù)資料
型號(hào): IRFR430APBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET
中文描述: HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù): 7/10頁(yè)
文件大小: 309K
代理商: IRFR430APBF
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
Fig 15.
For N-Channel
HEXFET
Power MOSFETs
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFU430APBF HEXFET Power MOSFET
IRFR6215PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
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IRFR9310PBF HEXFET POWER MOSFET
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參數(shù)描述
IRFR430ATR 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR430ATRL 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 500V 5A 3PIN DPAK - Tape and Reel
IRFR430ATRLPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR430ATRPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR430ATRR 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube