型號: | IRFR5305 |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | -55V,P-Channel HEXFET Power MOSFET(-55V,P溝道 HEXFET功率MOS場效應(yīng)管) |
中文描述: | - 55V的P通道HEXFET功率MOSFET(- 55V的,P溝道的HEXFET功率馬鞍山場效應(yīng)管) |
文件頁數(shù): | 9/10頁 |
文件大?。?/td> | 156K |
代理商: | IRFR5305 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRFRU5305 | Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.065ohm, Id=-31A) |
IRFU5305 | Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.065ohm, Id=-31A) |
IRFR5410 | Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.205ohm, Id=-13A) |
IRFRU5410 | Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.205ohm, Id=-13A) |
IRFU5410 | Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.205ohm, Id=-13A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRFR5305CPBF | 功能描述:MOSFET P-CH 55V 31A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
IRFR5305HR | 制造商:IR 功能描述:HIREL part for Textron |
IRFR5305PBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFR5305TRL | 功能描述:MOSFET P-CH 55V 31A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
IRFR5305TRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -55V -28A 65mOhm 42nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |