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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRFR9120N |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | P Channel Surface Mount HEXFET Power MOSFET(P溝道表貼型HEXFET功率MOS場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | P通道表面貼裝HEXFET功率MOSFET的性（P溝道表貼型的HEXFET功率馬鞍山場效應(yīng)管） |
| 文件頁數(shù)： | 8/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 117K |
| 代理商： | IRFR9120N |
IRFR/U9120N
Package Outline
TO-252AA Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
TO-252AA (D-Pak)
Part Marking Information
6.73 (.265)
6.35 (.250)
- A -
4
1 2 3
6.22 (.245)
5.97 (.235)
- B -
3X0.64 (.025)
0.25 (.010) M A M B
4.57 (.180)
2.28 (.090)
2X
1.14 (.045)
0.76 (.030)
1.52 (.060)
1.15 (.045)
1.02 (.040)
1.64 (.025)
5.46 (.215)
5.21 (.205)
1.27 (.050)
0.88 (.035)
2.38 (.094)
2.19 (.086)
1.14 (.045)
0.89 (.035)
0.58 (.023)
0.46 (.018)
6.45 (.245)
5.68 (.224)
0.51 (.020)
MIN.
0.58 (.023)
0.46 (.018)
LEAD ASSIGNMENTS
1 - GATE
2 - DRAIN
3 - SOURCE
4 - DRAIN
10.42 (.410)
9.40 (.370)
NOTES:
1 DIMENSIONING & TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.
2 CONTROLLING DIMENSION : INCH.
3 CONFORMS TO JEDEC OUTLINE TO-252AA.
4 DIMENSIONS SHOW N ARE BEFORE SOLDER DIP,
SOLDER DIP MAX. +0.16 (.006).
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
ASSEMBLY
LOT CODE
EXAMPLE : THIS IS AN IRFR120
W ITH ASSEMBLY
LOT CODE 9U1P
FIRST PORTION
OF PART NUMBER
SECOND PORTION
OF PART NUMBER
120
IRFR
9U 1P
A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFU9120N | P Channel Straight Lead HEXFET Power MOSFET(P溝道HEXFET功率MOS場效應(yīng)管) |
| IRFR9210PBF | M16C; M16C/60 Series; Microcontroller; Bit Size: 32/16-bit CISC; ROM: 128K; RAM: 10K; ROM Type: Mask ROM; CPU: M16C/60 core; Minimum Instruction Execution Time (ns): 41.7 (@24MHz); Operating Frequency / Supply Voltage: 24MHz/3.0 to 5.5V, 10MHz/2.7 to 5.5V; Operating Ambient Temperature (°C): -20 to 85, -40 to 85; Package Code: PRQP0100JB-A (100P6S-A) |
| IRFU9210PBF | M16C; M16C/60 Series; Microcontroller; Bit Size: 32/16-bit CISC; ROM: 128K; RAM: 10K; ROM Type: Mask ROM; CPU: M16C/60 core; Minimum Instruction Execution Time (ns): 41.7 (@24MHz); Operating Frequency / Supply Voltage: 24MHz/3.0 to 5.5V, 10MHz/2.7 to 5.5V; Operating Ambient Temperature (°C): -20 to 85, -40 to 85; Package Code: PLQP0100KB-A (100P6Q-A) |
| IRFR9210 | Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-1.9A) |
| IRFU9210 | Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-1.9A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFR9120NCPBF | 功能描述:MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFR9120NPBF | 功能描述:MOSFET 20V -100V P-CH FET 480mOhms 18nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFR9120NTR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| IRFR9120NTRL | 功能描述:MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFR9120NTRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -6.5A 480mOhm 18nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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