參數(shù)資料
型號(hào)： IRFR9120NPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： LA-MachXO Automotive Non-Volatile PLD For Low-Density Applications; LUTs: 2280; Supply Voltage: 1.2V; I/Os: 73; Grade: -3; Package: Lead-Free TQFP; Pins: 100; Temp.: AUTO
中文描述： HEXFET功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d - 100V的，的RDS（on）\u003d 0.48ヘ，身份證\u003d - 6.6A）
文件頁(yè)數(shù)： 2/11頁(yè)
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代理商： IRFR9120NPBF
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFU9120NPBF 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
IRFR9120PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFU9120PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFR9210N HEXFET Power MOSFET
IRFRU9120N Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.48ohm, Id=-6.6A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFR9120NTR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
IRFR9120NTRL 功能描述:MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFR9120NTRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -6.5A 480mOhm 18nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR9120NTRPBF 功能描述:MOSFET 20V -100V P-CH FET 480mOhms 18nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR9120NTRPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:P CHANNEL MOSFET -100V 6.6A D-PAK
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