參數資料
型號: IRFR9120NPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: LA-MachXO Automotive Non-Volatile PLD For Low-Density Applications; LUTs: 2280; Supply Voltage: 1.2V; I/Os: 73; Grade: -3; Package: Lead-Free TQFP; Pins: 100; Temp.: AUTO
中文描述: HEXFET功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d - 100V的,的RDS(on)\u003d 0.48ヘ,身份證\u003d - 6.6A)
文件頁數: 7/11頁
文件大?。?/td> 267K
代理商: IRFR9120NPBF
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
()***
V
DD
()
I
SD
45
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
)
,6,'++,8
"
&O$&6O,'$
'++,8&81'B&B
3
'/8,'
/-3'8",
2',+
/-/90",
''$'
<''
3
6'+'8<&O$<'7+
)
333
)
%)<'/0/6+,)&'6&6
( !6*7(*%
相關PDF資料
PDF描述
IRFU9120NPBF 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
IRFR9120PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFU9120PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFR9210N HEXFET Power MOSFET
IRFRU9120N Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.48ohm, Id=-6.6A)
相關代理商/技術參數
參數描述
IRFR9120NTR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
IRFR9120NTRL 功能描述:MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFR9120NTRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -6.5A 480mOhm 18nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR9120NTRPBF 功能描述:MOSFET 20V -100V P-CH FET 480mOhms 18nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR9120NTRPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:P CHANNEL MOSFET -100V 6.6A D-PAK