參數(shù)資料
型號： IRFR9120PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢ Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 9/10頁
文件大?。?/td> 1063K
代理商： IRFR9120PBF
www.irf.com
9
ASSEMBLY
LOT CODE
EXAMPLE:
WITH ASSEMBLY
LOT CODE 5678
THIS IS AN IRFU120
YEAR 9 = 1999
WEEK 19
DATE CODE
LINE A
IN THE ASSEMBLY LINE "A"
ASSEMBLED ON WW 19, 1999
PART NUMBER
56
IRFU120
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
919A
78
Note:
"P" in assembly line
position indicates "Lead-Free"
56
78
ASSEMBLY
LOT CODE
RECTIFIER
LOGO
INTERNATIONAL
IRFU120
PART NUMBER
WEEK 19
A = ASSEMBLY SITE CODE
DATE CODE
P = PRODUCT (OPTIONAL)
YEAR 9 = 1999
相關PDF資料
PDF描述
IRFU9120PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFR9210N HEXFET Power MOSFET
IRFRU9120N Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.48ohm, Id=-6.6A)
IRFU9210N HEXFET Power MOSFET
IRFR9120N P Channel Surface Mount HEXFET Power MOSFET(P溝道表貼型HEXFET功率MOS場效應管)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRFR9120T_R4941 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR9120TR 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR9120TRL 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR9120TRLPBF 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR9120TRPBF 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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