參數(shù)資料
型號： IRFR9210N
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大小： 117K
代理商： IRFR9210N
IRFR/U9120N
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
-10V
D.U.T.
V
DS
+
I
D
I
G
-3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
-
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
V
DS
DD
+V
DD
DRIVER
A
15V
-20V
-
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
250
Starting T , Junction Temperature( C)
E
ID
-1.7A
-2.5A
-3.9A
TOP
BOTTOM
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PDF描述
IRFRU9120N Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.48ohm, Id=-6.6A)
IRFU9210N HEXFET Power MOSFET
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