參數(shù)資料
型號： IRFR9N20D
廠商： International Rectifier
元件分類： DC/DC變換器
英文描述： N-Channel SMPS MOSFET,for High Frequency DC-DC Converters(應(yīng)用于高頻 DC-DC轉(zhuǎn)換器的N溝道開關(guān)模式電源MOS場效應(yīng)管)
中文描述： N溝道MOSFET的開關(guān)電源，高頻DC - DC變換器（應(yīng)用于高頻的DC - DC轉(zhuǎn)換器的?溝道開關(guān)模式電源馬鞍山場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大小： 126K
代理商： IRFR9N20D
IRFR9N20D/IRFU9N20D
www.irf.com
5
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
V
GS
+
-
V
DD
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
Notes:
1. Duty factor D =
2. Peak T =P
t / t
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
25
50
75
100
125
150
175
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
T , Case Temperature
(°
I
D
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PDF描述
IRFU9N20D N-Channel SMPS MOSFET,for High Frequency DC-DC Converters(應(yīng)用于高頻 DC-DC轉(zhuǎn)換器的N溝道開關(guān)模式電源MOS場效應(yīng)管)
IRFRC20 Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.0A)
IRFUC20 Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.0A)
IRFRU024N Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=17A)
IRFR024N Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=17A)
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參數(shù)描述
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