參數(shù)資料
型號： IRFR9N20D
廠商： International Rectifier
元件分類： DC/DC變換器
英文描述： N-Channel SMPS MOSFET,for High Frequency DC-DC Converters(應(yīng)用于高頻 DC-DC轉(zhuǎn)換器的N溝道開關(guān)模式電源MOS場效應(yīng)管)
中文描述： N溝道MOSFET的開關(guān)電源，高頻DC - DC變換器（應(yīng)用于高頻的DC - DC轉(zhuǎn)換器的?溝道開關(guān)模式電源馬鞍山場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大小： 126K
代理商： IRFR9N20D
IRFR9N20D/IRFU9N20D
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
Fig 14.
For N-Channel HEXFET
Power MOSFETs
*
V
GS
= 5V for Logic Level Devices
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFU9N20D N-Channel SMPS MOSFET,for High Frequency DC-DC Converters(應(yīng)用于高頻 DC-DC轉(zhuǎn)換器的N溝道開關(guān)模式電源MOS場效應(yīng)管)
IRFRC20 Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.0A)
IRFUC20 Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.0A)
IRFRU024N Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=17A)
IRFR024N Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=17A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFR9N20DHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
IRFR9N20DPBF 功能描述:MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 380mOhms 18nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR9N20DTR 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFR9N20DTRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
IRFR9N20DTRL 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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