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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRFRU3707PBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET㈢ Power MOSFET |
| 中文描述： | ㈢的HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 4/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 231K |
| 代理商： | IRFRU3707PBF |
IRFR/U3707PbF
4
www.irf.com
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
1
10
100
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
rss
C
oss
C
iss
0
10
20
30
40
0
2
4
6
8
10
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
I =
24.8A
V
= 15V
DS
0.1
1
10
100
1000
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 175 C
°
1
10
100
1000
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 175°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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