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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRFRU3707PBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET㈢ Power MOSFET |
| 中文描述： | ㈢的HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/9頁(yè) |
| 文件大小： | 231K |
| 代理商： | IRFRU3707PBF |
IRFR/U3707PbF
6
www.irf.com
Fig 13.
On-Resistance Vs. Gate Voltage
Fig 12.
On-Resistance Vs. Drain Current
Fig 15a&b.
Unclamped Inductive Test Circuit
and Waveforms
Fig 15c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
Fig 14a&b.
Basic Gate Charge Test Circuit
and Waveforms
0
50
100
150
200
250
ID , Drain Current ( A )
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.10
RD
VGS = 4.5V
VGS = 10V
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
0.009
0.010
0.011
0.012
0.013
RD
)
ID = 31A
25
50
75
100
125
150
175
0
100
200
300
400
500
600
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
A
ID
TOP
BOTTOM
10.1A
20.7A
24.8A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR3708PBF | HEXFET㈢Power MOSFET |
| IRFU3708PBF | Replacement for Texas Instruments part number SN74LS138N. Buy from authorized manufacturer Rochester Electronics. |
| IRFR3709ZCPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFU3709ZCPbF | HEXFET Power MOSFET |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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