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參數(shù)資料
| 型號： | IRFRU5305 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.065ohm, Id=-31A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d- 55V的，的Rds（on）\u003d 0.065ohm，身份證\u003d- 31A條） |
| 文件頁數(shù)： | 4/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 156K |
| 代理商： | IRFRU5305 |
IRFR/U5305
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
500
1000
1500
2000
2500
1
10
100
C
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
0
4
8
12
16
20
0
10
20
30
40
50
60
Q , Total Gate Charge (nC)
A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
V = -44V
V = -28V
I = -16A
G
-
10
100
1000
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
T = 25°C
V = 0V
S
A
-
-V , Source-to-Drain Voltage (V)
T = 175°C
1
10
100
1000
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
100μs
1ms
10ms
A
T = 25°C
T = 175°C
Single Pulse
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
-
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PDF描述 |
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