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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRFS23N20DPbF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | SMPS MOSFET |
| 中文描述： | MOSFET的開關(guān)電源 |
| 文件頁數(shù)： | 4/11頁 |
| 文件大小： | 288K |
| 代理商： | IRFS23N20DPBF |
IRFB/IRFS/IRFSL23N20DPbF
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0.1
1
10
100
0.2
0.5
0.8
1.1
1.4
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 175 C
°
1
10
100
1000
1
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 175 C
= 25°
°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
0
20
Q , Total Gate Charge (nC)
40
60
80
100
0
4
8
12
16
20
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
14A
V
= 40V
DS
V
= 100V
DS
V
= 160V
DS
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
10000
C
100000
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFSL23N20DPbF | SMPS MOSFET |
| IRFS3206PBF | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| IRFSL3206PBF | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| IRFSL33N15DPBF | SMPS MOSFET HEXFET Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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