參數(shù)資料
型號(hào): IRFS340A
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi): JFETs
英文描述: Advanced Power Mosfet
中文描述: 8 A, 400 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: TO-3PF, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 3/7頁(yè)
文件大?。?/td> 222K
代理商: IRFS340A
IRFS340A
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
10
1
@ Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
C
V
GS
Top : 15 V
10 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
I
D
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
25
o
C
150
o
C
- 55
o
C
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. V
DS
= 50 V
3. 250
μ
s Pulse Test
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0
10
20
30
40
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
@ Note : T
J
= 25
o
C
V
GS
= 20 V
V
GS
= 10 V
R
D
]
D
I
D
, Drain Current [A]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
-1
10
0
10
1
150
o
C
25
o
C
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
10
0
10
1
0
500
1000
1500
2000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(
C
ds
= shorted
)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
10
20
30
40
50
60
0
5
10
V
DS
= 320 V
V
DS
= 200 V
V
DS
= 80 V
@ Notes : I
D
= 10.0 A
V
G
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
1&+$11(/
32:(5 026)(7
Fig 1. Output Characteristics
Fig 2. Transfer Characteristics
Fig 6. Gate Charge vs. Gate-Source Voltage
Fig 5. Capacitance vs. Drain-Source Voltage
Fig 4. Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig 3. On-Resistance vs. Drain Current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFS340B 400V N-Channel MOSFET
IRFS350A Advanced Power MOSFET
IRFS440B 500V N-Channel MOSFET
IRFS450A N-Channel Power MOSFET(500V,0.4Ω,9.6A)(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管(漏源電壓500V,導(dǎo)通電阻0.4Ω,漏電流9.6A))
IRFS450 500V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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