參數(shù)資料
型號: IRFS38N20DTRR
廠商: International Rectifier
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 44A I(D) | TO-263AB
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五(巴西)直|第44A(丁)|對263AB
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代理商: IRFS38N20DTRR
IRFB/IRFS/IRFSL38N20D
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
175
0
180
360
540
720
900
Starting Tj, Junction Temperature
( C)
E
A
ID
11A
19A
26A
TOP
BOTTOM
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PDF描述
IRFB38N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.054ohm, Id=44A)
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參數(shù)描述
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IRFS38N20DTRRPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:TRAN NCH MFET 200V 44A 3LZ - Tape and Reel
IRFS4010-7PPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 190A 4.0mOhm 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS4010PBF 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 4.7mOhms 143nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS4010TRL7PP 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 190A 4.0mOhm 150nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube