參數(shù)資料
型號： IRFS820A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Advanced Power MOSFET
中文描述： 2.1 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大?。?/td> 270K
代理商： IRFS820A
N-C HANNEL
POWER MOSFET
Electrical Characteristics
(T
C
=25 unless otherwise specified)
Drain-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temp. Coeff.
Gate Threshold Voltage
Gate-Source Leakage , Forward
Gate-Source Leakage , Reverse
Characteristic
Symbol
BV
DSS
BV/ T
J
V
GS(th)
Max. Units
Typ.
Min.
Test Condition
Static Drain-Source
On-State Resistance
Forward Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain(“Miller”) Charge
g
fs
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
DS(on)
I
GSS
I
DSS
V
V
nA
A
pF
ns
nC
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
V
GS
=0V,I
D
=250 A
I
D
=250 A
See Fig 7
V
DS
=5V,I
D
=250 A
V
GS
=30V
V
GS
=-30V
V
DS
=500V
V
DS
=400V,T
C
=125
V
GS
=10V,I
D
=1.05A
V
DS
=50V,I
D
=1.05A
V
DD
=250V,I
D
=2.5A,
R
G
=18
See Fig 13
V
DS
=400V,V
GS
=10V,
I
D
=2.5A
See Fig 6 & Fig 12
Drain-to-Source Leakage Current
V
GS
=0V,V
DS
=25V,f =1MHz
See Fig 5
Source-Drain Diode Ratings and Characteristics
Continuous Source Current
Pulsed-Source Current
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
Characteristic
Symbol
Max. Units
Typ.
Min.
Test Condition
--
--
--
--
--
A
V
ns
C
μ
Integral reverse pn-diode
in the MOSFET
T
J
=25 ,I
S
=2.1A,V
GS
=0V
T
J
=25 ,I
F
=2.5A
di
F
/dt=100A/ s
IRFW/I820A
500
--
2.0
--
--
--
--
--
0.68
--
--
--
--
--
50
22
12
15
55
17
19
2.6
10
--
--
4.0
100
-100
10
100
3.0
--
510
60
26
35
40
120
45
26
--
--
2.08
390
--
--
--
235
1.2
2.1
8
1.4
--
--
Notes ;
Repetitive Rating : Pulse Width Limited by Maximum Junction Temperature
L=90mH, I
AS
=2.1A, V
DD
=50V, R
G
=27 , Starting T
J
=25
I
SD
2.5A, di/dt 100A/ s, V
DD
BV
DSS
, Starting T
J
=25
Pulse Test : Pulse Width = 250 s, Duty Cycle 2%
Essentially Independent of Operating Temperature
O
5
O
1
O
O
3
O
2
4
C
V/
o
C
o
C
o
C
O
1
O
4
O
4
C
C
O
4
O
4
O
5
O
4
O
4
O
5
o
C
相關PDF資料
PDF描述
IRFS830A N-Channel Power MOSFET（500V，1.5Ω，3.1A）(N溝道功率MOS場效應管（漏源電壓500V，導通電阻1.5Ω，漏電流3.1A）)
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IRFS840 500V N-Channel MOSFET
IRFS840B 500V N-Channel MOSFET
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參數(shù)描述
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