參數(shù)資料
型號： IRFSL23N20D
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.10ohm, Id=24A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 200V的電壓，的Rds（on）最大值\u003d 0.10ohm，身份證\u003d 24A條）
文件頁數(shù)： 7/11頁
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代理商： IRFSL23N20D
IRFB/IRFS/IRFSL23N20D
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
Fig 14.
For N-Channel HEXFET
Power MOSFETs
*
V
GS
= 5V for Logic Level Devices
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
相關PDF資料
PDF描述
IRFB23N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.10ohm, Id=24A)
IRFS31N20DTRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-263AB
IRFB31N20 Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A)
IRFS31N20DTRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-263AB
IRFB31N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRFSL23N20D102P 功能描述:MOSFET N-CH 200V 24A TO-262 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFSL23N20DPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 200V, 24A, 100 MOHM, 57 NC QG, TO-262 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 24A 3PIN TO-262 - Rail/Tube
IRFSL3004PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 240A 1.7mOhm 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFSL3006PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFSL3107PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 230A 3mOhm 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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