參數(shù)資料
型號(hào)： IRFU210PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET POWER MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 7/10頁(yè)
文件大?。?/td> 2167K
代理商： IRFU210PBF
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFU220NPBF HEXFET Power MOSFET
IRFU220PBF HEXFEP Power MOSFET
IRFU2405 Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.016ohm, Id=56A)
IRFR2405 Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.016ohm, Id=56A)
IRFU2407 Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.026ohm, Id=42A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFU211 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | TO-251AA
IRFU212 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 2.1A I(D) | TO-251AA
IRFU214 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 2.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU214A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-251AA
IRFU214B 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET
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