參數(shù)資料
型號(hào)： IRFU220N
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=600mohm, Id=5.0A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 200V的電壓，的Rds（on）最大值\u003d 600mohm，身份證\u003d 5.0a中）
文件頁(yè)數(shù)： 7/10頁(yè)
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代理商： IRFU220N
IRFR/U220N
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
Fig 14.
For N-Channel HEXFET
Power MOSFETs
*
V
GS
= 5V for Logic Level Devices
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFR220NTR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA
IRFR220NTRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA
IRFR220NTRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA
IRFR224 Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=1.1ohm, Id=3.8A)
IRFU224 Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=1.1ohm, Id=3.8A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRFU220PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 4.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU220S2497 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRFU221 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRFU222 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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