參數(shù)資料
型號： IRFU3412PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： SMPS MOSFET
中文描述： MOSFET的開關(guān)電源
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大?。?/td> 235K
代理商： IRFU3412PBF
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
25
–––
––– 59 89
–––
21
–––
17
–––
19
–––
68
–––
44
–––
37
–––
3430 –––
–––
270
–––
150
–––
1040 –––
–––
170
–––
270
Conditions
V
DS
= 50V, I
D
= 29A
I
D
= 29A
V
DS
= 50V
V
GS
= 10V,
V
DD
= 50V
I
D
= 29A
R
G
= 6.8
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 80V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 80V
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Avalanche Characteristics
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
S
32
26
–––
–––
–––
–––
nC
–––
–––
pF
–––
–––
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
160
29
14
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Thermal Resistance
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.10 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
3.5
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
Min. Typ. Max. Units
100
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
–––
V
––– 0.025
–––
–––
–––
–––
–––
V
V
GS
= 10V, I
D
= 29A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 95V, V
GS
= 0V
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
5.5
1.0
250
100
-100
μA
nA
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. (See Fig. 11)
Starting T
J
= 25°C, L = 0.38mH, R
G
= 25
,
I
AS
= 29A, (See Figure 12a)
I
SD
≤
29A, di/dt
≤
420A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
150°C
When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material) .
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
C
oss
eff. is a fixed capacitance that gives the same charging time
as C
oss
while V
DS
is rising from 0 to 80% V
DSS
Calculated continuous current based on maximum allowable
junction temperature. Package limitation current is 30A.
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
1.05
50
110
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB mount)*
Junction-to-Ambient
°C/W
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