參數(shù)資料
型號： IRFU5305PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： LA-MachXO Automotive Non-Volatile PLD For Low-Density Applications; LUTs: 1200; Supply Voltage: 1.2V; I/Os: 211; Grade: -3; Package: Lead-Free ftBGA; Pins: 256; Temp.: AUTO
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d - 55V的，的RDS（on）\u003d 0.065ヘ，身份證\u003d - 31A條）
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大?。?/td> 252K
代理商： IRFU5305PBF
IRFR/U5305PbF
www.irf.com
3
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
D
20μs PULSE WIDTH
Tc
A
-
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
VGS
-4.5V
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
D
A
-
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
VGS
-4.5V
20μs PULSE WIDTH
T = 175°C
1
10
100
4
5
6
7
8
9
10
T = 25°C
T = 175°C
A
V = -25V
20μs PULSE WIDTH
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
D
-
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-60
-40
-20
T , Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
R
D
(
A
I = -27A
V = -10V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFR5305 -55V,P-Channel HEXFET Power MOSFET(-55V,P溝道 HEXFET功率MOS場效應(yīng)管)
IRFRU5305 Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.065ohm, Id=-31A)
IRFU5305 Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.065ohm, Id=-31A)
IRFR5410 Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.205ohm, Id=-13A)
IRFRU5410 Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.205ohm, Id=-13A)
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參數(shù)描述
IRFU540Z 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET㈢ Power MOSFET
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IRFU5410 功能描述:MOSFET P-CH 100V 13A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFU5410PBF 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -100V -13A 205mOhm 38.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU5505 功能描述:MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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