參數(shù)資料
型號(hào)： IRFZ48VSPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢ Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
文件大?。?/td> 187K
代理商： IRFZ48VSPBF
IRFZ48VSPbF
www.irf.com
3
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
4.5V
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 175 C
TOP
BOTTOM
VGS
10V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
4.5V
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T , Junction Temperature ( C)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
R
(
D
V
=
I =
GS
10V
72A
1
10
100
1000
4
6
8
10
12
14
VDS
20μs PULSE WIDTH
V , Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
T = 25 C
°
T = 175 C
°
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFZ48V Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=72A)
IRG4BC20KD-SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULRTAFAST SOFR RECOVERY DIODE
IRG4BC30K-SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Ciruit Rated UltraFast IGBT
IRG4BC30UPBF UltraFast Speed IGBT
IRG4BC40WPBF ISSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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