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參數(shù)資料
| 型號： | IRG4BC40MD |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| 中文描述： | FIT率/等效器件小時 |
| 文件頁數(shù)： | 16/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 112K |
| 代理商： | IRG4BC40MD |
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TEMPERATURE & HUMIDITY (THB)
T0220 Package
Junction Temperature:
Relative Humidity:
Applied Bias:
85°C
85% rh
Vge = 0V
Vce = as specified
N Channel
LOW FREQUENCY ( Standard )
DEVICE
TYPE
DATE
CODE
COLLECTOR
VOLTAGE
QTY
A FAILURES
TEST
TIME
#
(hours)
1008 0
2051 0
1008 0
MODE
(note b)
(V)
500
100
500
IRGBC20S
IRGBC30S
IRGBC40S
9544
9643
9606
20
20
20
TOTALS
60
4067 0
N Channel
MID FREQUENCY ( Fast )
DEVICE
TYPE
DATE
CODE
COLLECTOR
VOLTAGE
QTY
A FAILURES
TEST
TIME
#
(hours)
1008 1
1008 0
2051 0
MODE
(note b)
(V)
600
900
100
IRGBC30F
IRGBF30F
IRGBC30FD2
9537
9613
9640
20
20
20
1
TOTALS
60
4067 1
NOTES
b. FAILURE MODES:
1 1 device failed @ 1008hrs 85/85 it was due to termination
structure corrosion, caused by moisture ingression.
IGBT / CoPack
Quarterly Reliability Report
Page 16 of 35
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4BC40SD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4BC40UD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4BE40FD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4BE40KD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4BE40MD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRG4BC40S | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.32V, @Vge=15V, Ic=31A) |
| IRG4BC40SD | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4BC40SPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRG4BC40S-S | 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 60.000A D2PAK / IGBT : JA / DISCRET |
| IRG4BC40U | 功能描述:IGBT UFAST 600V 40A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
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