參數(shù)資料
型號(hào): IRG4BC40UD
廠商: International Rectifier
英文描述: Fit Rate / Equivalent Device Hours
中文描述: FIT率/等效器件小時(shí)
文件頁數(shù): 14/35頁
文件大?。?/td> 112K
代理商: IRG4BC40UD
HIGH TEMPERATURE GATE BIAS (HTGB)
T0220 Package
Junction Temperature:
Applied Bias:
Tj = as specified below
Vc = Ve = 0V
Vg = as specified
N Channel
HIGH FREQUENCY ( Ultra-Fast )
EQUIVALENT FAILURE RATE @
DEV-HRS
@ 90°C
DEVICE
TYPE
DATE
CODE
TEMP
GATE
BIAS
QTY
ACTUAL
TEST
TIME
(hours)
2008 0
2008 0
2007 0
2054 0
#
MODE
FITs
(deg C)
(V)
9613
9605
9641
9643
150
150
150
150
20
20
20
20
20
20
20
20
3722
3722
3724
3639
TOTALS
80
8077 0
925
NOTES
a. One FIT represents one failure in one billion (1.0E+09) hours.
b. FAILURE MODES:
IGBT / CoPack
Quarterly Reliability Report
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BE40FD Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4BE40KD Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4BE40MD Fit Rate / Equivalent Device Hours
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參數(shù)描述
IRG4BC40UPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4BC40W 功能描述:IGBT WARP 600V 40A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BC40WHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRG4BC40WL 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4BC40W-LPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Warp 60-150kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube