參數(shù)資料
型號(hào): IRG4BG40MD
廠(chǎng)商: International Rectifier
英文描述: Fit Rate / Equivalent Device Hours
中文描述: FIT率/等效器件小時(shí)
文件頁(yè)數(shù): 13/35頁(yè)
文件大?。?/td> 112K
代理商: IRG4BG40MD
HIGH TEMPERATURE GATE BIAS (HTGB)
Junction Temperature:
Tj = as specified below
Vc = Ve = 0V
Vg = as specified
N Channel
LOW FREQUENCY ( Standard )
FAILURE RATE @
DEVICE
TYPE
TEMP
GATE
BIAS
AC FAILURES
TEST
TIME
#
(hours)
0
0
DEV-HRS
FITs
(deg C)
(note b)
IRGBC20S
IRGBC40S
9544
9605
20
20
20
20
2.46E+05
2.46E+05
TOTALS
40
0
4.92E+05
N Channel
MID FREQUENCY ( Fast )
EQUIVALENT FAILURE RATE @
DEV-HRS
90°C & 60% UCL
@ 90°C
DATE
TEMP
QTY
ACTUAL
TYPE
BIAS
TIME
(hours)
MODE
FITs
(note a)
(V)
IRGBC30F
IRGBC30FD2
IRGBC30FD2
IRGBF30F
150
150
150
150
20
20
20
20
2008 0
2095 0
2007 0
2008 0
3722
3567
3724
3722
TOTALS
8118 0
921
NOTES
b. FAILURE MODES:
I
Quarterly Reliability Report
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PDF描述
IRG4BG40SD Fit Rate / Equivalent Device Hours
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IRG4BH40KD Fit Rate / Equivalent Device Hours
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參數(shù)描述
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IRG4BH20K-L 功能描述:IGBT UFAST 1200V 11A TO-262 RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi)):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BH20K-LPBF 功能描述:IGBT 晶體管 1200V UltraFast 4-20kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4BH20K-S 功能描述:IGBT UFAST 1200V 11A D2PAK RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi)):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件