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參數(shù)資料
| 型號： | IRG4BG40UD |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| 中文描述： | FIT率/等效器件小時 |
| 文件頁數(shù)： | 8/35頁 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | IRG4BG40UD |
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Section
3
Environmental Test Results
IGBT / CoPack
Quarterly Reliability Report
Page 8 of 35
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4BH40FD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4BH40KD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4BH40MD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4BH40SD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4BH40UD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRG4BH20K-L | 功能描述:IGBT UFAST 1200V 11A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IRG4BH20K-LPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 1200V UltraFast 4-20kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRG4BH20K-S | 功能描述:IGBT UFAST 1200V 11A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IRG4BH20K-SPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRG4BH20K-SPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TRANSISTOR PACKAGE/CASE:D2-PAK |
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