參數(shù)資料
型號(hào): IRG4PC40FDPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述: 絕緣柵雙極型晶體管,超快軟恢復(fù)二極管
文件頁(yè)數(shù): 11/11頁(yè)
文件大小: 359K
代理商: IRG4PC40FDPBF
Note: For the most current drawings please refer to the IR website at:
http://www.irf.com/package/
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PC40KPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated UltraFast IGBT
IRG4PC40SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT
IRG4PC40UPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
IRG4PC40U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.1.72V, @Vge=15V, Ic=20A)
IRG4PC40WPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4PC40FPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Fast 1-8kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PC40K 功能描述:IGBT UFAST 600V 42A TO-247AC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi)):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4PC40KD 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247
IRG4PC40KD-206 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 42.000A COPAK 247 / IGBT : JA / DIS
IRG4PC40KDE206P 功能描述:IGBT 模塊 600V ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: