參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4PC40UD
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE( Vces=600V, Vce(on)typ.=1.72V, @Vge=15V, Ic=20A)
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管（VCES和\u003d 600V電壓的Vce（on）典型.\u003d 1.72V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 20A條）
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
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代理商： IRG4PC40UD
www.irf.com
5
Fig. 10
- Typical Switching Losses vs.
Junction Temperature
Fig. 9
- Typical Switching Losses vs. Gate
Resistance
Fig. 8
- Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Emitter Voltage
Fig. 7 -
Typical Capacitance vs.
Collector-to-Emitter Voltage
0
4
8
12
16
20
0
20
40
60
80
100
120
G
V
Q , Total Gate Charge (nC)
A
V = 400V
I = 27A
C
0.1
1
10
-60
-40
-20
T , Junction Temperature (
°
C)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
T
A
R = 10
V = 15V
V = 480V
CC
I = 14A
I = 27A
I = 54A
C
GE
2.10
2.20
2.30
2.40
2.50
2.60
0
10
20
30
40
50
60
A
V = 480V
V = 15V
T = 25
°
C
I = 27A
R , Gate Resistance
()
T
0
1000
2000
3000
4000
1
10
100
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
A
C
ies
C
res
C
oes
V
GE
= 0V f = 1 MHz
Cies = Cge + Cgc + Cce SHORTED
Cres = Cce
Coes = Cce + Cgc
C
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PDF描述
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IRG4PC50SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
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IRG4PC40UPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PC40W 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247
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