參數(shù)資料
型號： IRG4PC40UPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管IGBT的速度超快速
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 641K
代理商： IRG4PC40UPBF
IRG4PC40UPbF
4
www.irf.com
Fig. 6
- Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig. 5
- Collector-to-Emitter Voltage vs.
Junction Temperature
Fig. 4
- Maximum Collector Current vs. Case
Temperature
1.0
1.5
2.0
2.5
-60
-40
-20
T , Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
C
V
V = 15V
80μs PULSE WIDTH
A
I = 40A
I = 20A
C
I = 10A
C
0.01
0.00001
0.1
1
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
t
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
T
P
t
2
1
t
DM
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2
2. Peak T = P x Z + TC
0
10
20
30
40
25
50
T , Case Temperature (°C)
75
100
125
150
M
V = 15V
A
相關PDF資料
PDF描述
IRG4PC40U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.1.72V, @Vge=15V, Ic=20A)
IRG4PC40WPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC40 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.50V, @Vge=15V, Ic=27A)
IRG4PC40W INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A)
IRG4PC40F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.50V, @Vge=15V, Ic=27A)
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參數(shù)描述
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