參數資料
型號： IRG4RC10KDTR
廠商： International Rectifier
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 5A I(C) | TO-252AA
中文描述： 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國際消費電子展| 5A條一（c）|至252AA
文件頁數： 4/10頁
文件大小： 190K
代理商： IRG4RC10KDTR
IRG4RC10KD
4
www.irf.com
Fig. 6
- Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig. 5
- Typical Collector-to-Emitter Voltage
vs. Junction Temperature
Fig. 4
- Maximum Collector Current vs. Case
Temperature
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
°
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
T , Junction Temperature ( C)
V
C
V = 15V
80 us PULSE WIDTH
I = A
10
I = A
5
I = A
2.5
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
25
50
T , Case Temperature ( C)
75
100
125
°
150
0
2
4
6
8
10
M
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PDF描述
IRG4RC10KDTRL TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 5A I(C) | TO-252AA
IRG4RC10KDTRR TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 5A I(C) | TO-252AA
IRG4RC20F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.82V, @Vge=15V, Ic=12A)
IRG4ZH50KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB14C40LPBF IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps
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參數描述
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IRG4RC10KTR 功能描述:IGBT UFAST 600V 9A D-PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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