參數(shù)資料
型號： IRGB14C40LPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps
中文描述： IGBT的具有片上柵極發(fā)射極和柵極采集夾
文件頁數(shù)： 1/11頁
文件大?。?/td> 299K
代理商： IRGB14C40LPBF
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2
343
0
53,0212,64
362,64(31%7
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max
Unit
Condition
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 110°C
I
G
I
Gp
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T = 110°C
T
J
T
STG
V
ESD
I
L
Collector-to-Emitter Voltage
Clamped
V
R
G
= 1K
ohm
Continuous Collector Current
20
A
V
GE
= 5V
Continuous Collector Current
14
A
V
GE
= 5V
Continuous Gate Current
1
mA
Peak Gate Current
10
mA t
PK
= 1ms, f = 100Hz
Gate-to-Emitter Voltage
Clamped
V
Maximum Power Dissipation
125
W
Maximum Power Dissipation
54
W
Operating Junction and
- 40 to 175
°C
Storage Temperature Range
- 40 to 175
°C
Electrostatic Voltage
6
KV C = 100pF, R = 1.5K
ohm
Self-clamped Inductive Switching Current
11.5
A
L = 4.7mH, T = 25°C
Thermal Resistance
Parameter
Min
Typ
Max
Unit
R
θ
JC
R
θ
JA
Thermal Resistance, Junction-to-Case
1.2
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
40
°C/W
(PCB Mounted, Steady State)
Z
θ
JC
Transient Thermal Impedance, Juction-to-Case (Fig.11)
340356
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGB15B60KDPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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IRGB4056DPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB4061DPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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參數(shù)描述
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IRGB20B60PD1 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:SMPS IGBT
IRGB20B60PD1PBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Warp2 150kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGB30B60K 功能描述:IGBT 600V 78A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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