參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4RC10KDTRL
廠商： International Rectifier
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 5A I(C) | TO-252AA
中文描述： 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國際消費(fèi)電子展| 5A條一（c）|至252AA
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大?。?/td> 190K
代理商： IRG4RC10KDTRL
IRG4RC10KD
www.irf.com
3
0.1
1
10
100
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
f, Frequency (KHz)
L
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency
(Load Current = I
RMS
of fundamental)
For both:
Duty cycle: 50%
TJ
°
C
Tsink
°
C
Gate drive as specified
Power Dissipation = W
60% of rated
voltage
I
Ideal diodes
Square wave:
1.4
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics
1
10
100
1.0
2.0
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
I
C
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
T = 150 C
1
10
100
5
10
15
20
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 50V
5μs PULSE WIDTH
T = 25 C
T = 150 C
55
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4RC10KDTRR TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 5A I(C) | TO-252AA
IRG4RC20F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.82V, @Vge=15V, Ic=12A)
IRG4ZH50KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB14C40LPBF IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps
IRGB15B60KDPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRG4RC10KDTRR 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 8.500A COPAK D-PAK / IGBT : JA / DI
IRG4RC10KPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-25kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4RC10KTR 功能描述:IGBT UFAST 600V 9A D-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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