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參數(shù)資料
| 型號： | IRG4ZH70UD |
| 文件頁數(shù)： | 10/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 224K |
| 代理商： | IRG4ZH70UD |
IRG4ZC71KD
10
www.irf.com
WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
EUROPEAN HEADQUARTERS:
Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA:
7321 Victoria Park Ave., Suite 201, Markham, Ontario L3R 2Z8, Tel: (905) 475 1897
IR GERMANY:
Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590
IR ITALY:
Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
IR FAR EAST:
K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA:
315 Outram Road, #10-02 Tan Boon Liat Building, Singapore 0316 Tel: 65 221 8371
http://www.irf.com/
Data and specifications subject to change without notice.
4/98
17.30
n/c
E(k)
G
C
E
E
4.27
0.90
0.90
5.55
29.00
14.20
Case Outline — SMD-10
Dimensions are shown in millimeters
Recommended footprint
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4ZH71KD | |
| IRGAC30F | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 23A I(C) | TO-204AE |
| IRGAC30U | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 17A I(C) | TO-204AE |
| IRGAC40F | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 38A I(C) | TO-204AE |
| IRGAC40U | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 31A I(C) | TO-204AE |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRG4ZH71KD | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Surface Mountable Short Circuit Rated UltraFast IGBT (INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE) |
| IRG6B330UDPBF | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:PDP TRENCH IGBT |
| IRG6I320UPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 330V PLASMA DISPLAY PANEL TRENCH IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRG6I330U-110P | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| IRG6I330U-111P | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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