參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4ZH70UD
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大小： 224K
代理商： IRG4ZH70UD
IRG4ZC71KD
www.irf.com
7
Fig. 14
- Typical Reverse Recovery vs. di
f
/dt
Fig. 15
- Typical Recovery Current vs. di
f
/dt
Fig. 16
- Typical Stored Charge vs. di
f
/dt
Fig. 17
- Typical di
(rec)M
/dt vs. di
f
/dt
d
I
t
Q
1
10
100
100
1000
di /dt - (A/μs)
I = 100A
I = 50A
I = 25A
V = 200V
T = 125°C
T = 25°C
100
1000
10000
100
1000
di /dt - (A/μs)
I = 100A
I = 50A
I = 25A
V = 200V
T = 125°C
T = 25°C
0
1000
2000
3000
4000
100
1000
di /dt - (A/μs)
I = 100A
I = 50A
I = 25A
V = 200V
T = 125°C
T = 25°C
0
30
60
90
120
150
100
1000
dif
I = 100A
I = 50A
I = 25A
V = 200V
T = 125°C
T = 25°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4ZH71KD
IRGAC30F TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 23A I(C) | TO-204AE
IRGAC30U TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 17A I(C) | TO-204AE
IRGAC40F TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 38A I(C) | TO-204AE
IRGAC40U TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 31A I(C) | TO-204AE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4ZH71KD 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Surface Mountable Short Circuit Rated UltraFast IGBT (INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)
IRG6B330UDPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:PDP TRENCH IGBT
IRG6I320UPBF 功能描述:IGBT 晶體管 330V PLASMA DISPLAY PANEL TRENCH IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG6I330U-110P 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IRG6I330U-111P 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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