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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRGB4055PbF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | PDP TRENCH 1GBT |
| 中文描述： | 等離子戴1GBT |
| 文件頁數(shù)： | 5/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 711K |
| 代理商： | IRGB4055PBF |
www.irf.com
5
0
50
100
150
200
VCE, Collector-toEmitter-Voltage(V)
10
100
1000
10000
100000
C
Cies
Coes
Cres
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Cies = Cge + Cgd, Cce SHORTED
Cres = Cgc
Coes = Cce + Cgc
Fig 13. Typical Capacitance vs. Collector-to-Emitter Voltage
Fig 14. Typical Gate Charge vs. Gate-to-Emitter Voltage
Fig 15. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
0.20
0.10
0.05
D = 0.50
0.02
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
Ci i
/
Ri
Ci=
i
/
Ri
τ
τ
C
τ
4
τ
4
R
4
R
4
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
0.00773 0.000009
0.05408 0.000120
0.23564 0.002452
0.20216 0.022464
0
25
50
75
100
125
150
Q G, Total Gate Charge (nC)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
VG
200V
240V
IC = 35A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGB4060DPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGB4065PBF | PDP TRENCH IGBT |
| IRGBC20F | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(超快速絕緣柵型雙極型晶體管) |
| IRGBC20M-S | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(短路額定超快速絕緣柵型雙極型晶體管) |
| IRGBC20M | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(短路額定快速絕緣柵型雙極型晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IRGB4059DPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRGB4060DPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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| IRGB4062DPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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