參數(shù)資料
型號(hào)： IRGP4068D-EPbF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管的超低壓變頻二極管感應(yīng)加熱與軟交換應(yīng)用
文件頁(yè)數(shù)： 5/10頁(yè)
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代理商： IRGP4068D-EPBF
IRGP4068DPbF/IRGP4068D-EPbF
www.irf.com
5
Fig. 17
- Typ. Capacitance vs. V
CE
V
GE
= 0V; f = 1MHz
0
20
40
60
80
100
VCE (V)
10
100
1000
10000
C
Cies
Coes
Cres
Fig. 13
- Typ. Switching Time vs. I
C
T
J
= 175°C; L = 200μH; V
CE
= 400V, R
G
= 10
; V
GE
= 15V
0
20
40
60
80
100
IC (A)
10
100
1000
S
tdOFF
tF
Fig. 14
- Typ. Energy Loss vs. R
G
T
J
= 175°C; L = 200μH; V
CE
= 400V, I
CE
= 48A; V
GE
= 15V
0
25
50
75
100
125
Rg (
)
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
E
EOFF
Fig. 15
- Typ. Switching Time vs. R
G
T
J
= 175°C; L = 200μH; V
CE
= 400V, I
CE
= 48A; V
GE
= 15V
0
25
50
75
100
125
RG (
)
10
100
1000
S
tdOFF
tF
Fig. 18
- Typical Gate Charge
vs. V
GE
I
CE
= 48A; L = 600μH
0
25
50
75
100
Q G, Total Gate Charge (nC)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
VG
VCES = 300V
VCES = 400V
8
10
12
14
16
18
VGE (V)
4
6
8
10
12
14
16
18
T
50
100
150
200
250
300
350
400
C
Isc
Tsc
Fig. 16
- V
GE
vs. Short Circuit
V
CC
= 400V; T
C
= 25°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGP4068DPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS
IRGP50B60PDPBF WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGPC20F Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(快速絕緣柵型雙極型晶體管)
IRGPC20M Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(短路額定超快速絕緣柵型雙極型晶體管)
IRGPF20F Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(快速絕緣柵型雙極型晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRGP4068D-EPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANSISTORIGBTN-CHAN600V V(
IRGP4068DPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trnch w/Ultra-Low VF Diode RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGP4069D-EPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Low VCEon Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGP4069DPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V 76A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGP4069PBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V 76A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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