參數(shù)資料
型號: IRGP460LC
文件頁數(shù): 5/8頁
文件大小: 159K
代理商: IRGP460LC
IRFP450LC
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
10 V
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
R
D
V
GS
V
DD
R
G
D.U.T.
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
0
2
4
6
8
10
12
14
25
50
T , Case Temperature (°C)
75
100
125
150
I
D
A
0.001
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
t
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
A
T
P
t
2
1
t
DM
Notes:
1. Duty factor D = t1
2
2. Peak T = P x Z + TC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFP450LC 500V,14A,N-Channel HEXFET Power MOSFET(500V,14A,N溝道 HEXFET功率MOS場效應(yīng)管)
IRGPC30KD2
IRGPC40K
IRGPC40KD2
IRGPC46 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247AC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRGP4640D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:INSULATED GATEBIPOLARTRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGP4640D-EPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast IGBT 40A 250W 75nC RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGP4640DPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast IGBT 40A 250W 75nC RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGP4650D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORWITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGP4650D-E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORWITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE