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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRGPC20F |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(快速絕緣柵型雙極型晶體管) |
| 中文描述： | 絕緣門雙極晶體管（IGBTs）（快速絕緣柵型雙極型晶體管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 105K |
| 代理商： | IRGPC20F |
IRGPC20F
4 8 0 V
4
I
C
@
2 5 ° C
X
D.U.T.
50V
L
V *
* Driver same type as D.U.T.; Vc = 80% of Vce(max)
* Note: Due to the 50V power supply, pulse width and inductor
will increase to obtain rated Id.
1000V
Fig. 13a
-
Clamped
Inductive Load Test Circuit
Fig. 13b
-
Pulsed
Collector Current Test Circuit
480μF
960V
0
-
4 8 0 V
R
L
=
t=5μs
d(on)
t
t
f
t
r
90%
t
d(off)
10%
90%
10%
5%
V
C
I
C
E
on
E
off
E = (E +E )
Fig. 14b
-
Switching
Loss Waveforms
50V
Driver*
1000V
D.U.T.
I
C
C
V
L
Fig. 14a
-
Switching
Loss Test Circuit
*
t y p e
D.U.T.,
4 8 0 V
Driver
same
as
VC
=
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGPC20M | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(短路額定超快速絕緣柵型雙極型晶體管) |
| IRGPF20F | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(快速絕緣柵型雙極型晶體管) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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