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參數(shù)資料
| 型號： | IRGPC50MD2 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(短路額定超快速絕緣柵型雙極型晶體管) |
| 中文描述： | 絕緣門雙極晶體管（IGBTs）（短路額定超快速絕緣柵型雙極型晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 3/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 148K |
| 代理商： | IRGPC50MD2 |
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency
(Load Current = I
RMS
of fundamental)
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics
IRGPC50MD2
0
10
20
30
40
0.1
1
10
100
f, Frequency (kHz)
Power Dissipation = 40W
Duty cycle: 50%
J
Tsink
Gate drive as specified
Turn-on losses include
effects of reverse recovery
1
10
100
1000
5
10
15
20
C
I
150°C
25°C
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
V = 100V
5μs PULSE WIDTH
1
10
100
1000
0.1
1
10
C
I
150°C
25°C
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGPC50M | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(短路額定超快速絕緣柵型雙極型晶體管) |
| IRGPC50S | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(標準速度絕緣柵型雙極型晶體管) |
| IRGPF30F | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(快速絕緣柵型雙極型晶體管) |
| IRGPF40F | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(快速絕緣柵型雙極型晶體管) |
| IRGPH20 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=4.5A) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRGPC50S | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRGPC50U | 制造商:IR 功能描述:_ |
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| IRGPC56 | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
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