參數(shù)資料
型號(hào)： IRGPH50MD2
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=23A)
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)（VCES和\u003d 1200伏，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 23A條）
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大小： 267K
代理商： IRGPH50MD2
C-281
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency
(For square wave, I=I
RMS
of fundamental; for triangular wave, I=I
PK
)
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics
IRGPH50F
0
10
20
30
40
50
60
0.1
1
10
100
L
f, Frequency (kHz)
60% of rated
voltage
Ideal diodes
Square wave:
For both:
Duty cycle: 50%
T = 125°C
T = 90°C
Gate drive as specified
Power Dissipation = 40W
Triangular wave:
Clam p voltage:
80% of rated
1
10
100
1000
1
10
C
I
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
T = 150°C
T = 25°C
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
0.1
1
10
100
1000
5
10
15
20
C
I
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
T = 25°C
T = 150°C
V = 100V
5μs PULSE WIDTH
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGR3B60KD2 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGS14C40L Ignition IGBT(點(diǎn)火線圈絕緣柵雙極型晶體管)
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參數(shù)描述
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