參數(shù)資料
型號(hào)： IRGPH50MD2
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=23A)
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)（VCES和\u003d 1200伏，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 23A條）
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大小： 267K
代理商： IRGPH50MD2
C-283
IRGPH50F
Fig. 7 -
Typical Capacitance vs.
Collector-to-Emitter Voltage
Fig. 8
- Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Emitter Voltage
Fig. 9
- Typical Switching Losses vs. Gate
Resistance
Fig. 10
- Typical Switching Losses vs.
Case Temperature
0
1000
2000
3000
4000
5000
1
10
100
C
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
ies
C
res
C
oes
0
4
8
12
16
20
0
20
Q , Total Gate Charge (nC)
40
60
80
100
G
V
V = 400V
I = 25A
5.8
6.0
6.2
6.4
6.6
6.8
7.0
7.2
0
10
20
30
40
50
60
T
R , Gate Resistance ( )
W
V = 960V
V = 15V
T = 25°C
I = 25A
1
10
100
-60
-40
-20
T , Case Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
T
R = 5
V = 15V
V = 960V
I = 50A
I = 25A
I = 13A
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGR3B60KD2 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGS14C40L Ignition IGBT(點(diǎn)火線圈絕緣柵雙極型晶體管)
IRGB14C40L IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps
IRGSL14C40L Ignition IGBT(點(diǎn)火線圈絕緣柵雙極型晶體管)
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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