參數(shù)資料
型號(hào)： IRGS14C40L
廠商： International Rectifier
英文描述： Ignition IGBT(點(diǎn)火線圈絕緣柵雙極型晶體管)
中文描述： 點(diǎn)火IGBT（點(diǎn)火線圈絕緣柵雙極型晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 3/11頁(yè)
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代理商： IRGS14C40L
Fig.4 - Typical V
CE
vs T
J
V
GE
=4.5V
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
-50
0
50
100
150
200
T
J
(
°
C)
V
C
I
C
= 7A
I
C
= 10A
Fig.3 - Transfer Characteristics
V
CE
=20V; tp=20μs
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
2
4
V
GE
(V)
6
8
10
I
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
Fig.1 - Typ. Output Characteristics
T
J
=25
°
C
0
10
20
30
40
50
60
0
1
2
3
4
5
6
V
CE
(V)
I
C
V
GE
= 10 V
V
GE
= 5.0V
V
GE
= 4.5V
V
GE
= 4.0V
V
GE
= 3.7V
Fig.2 - Typ. Output Characteristics
T
J
=125
°
C
0
10
20
30
40
50
60
0
1
2
3
4
5
6
V
CE
(V)
I
C
V
GE
= 10 V
V
GE
= 5.0V
V
GE
= 4.5V
V
GE
= 4.0V
V
GE
= 3.7V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGB14C40L IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps
IRGSL14C40L Ignition IGBT(點(diǎn)火線圈絕緣柵雙極型晶體管)
IRH7054 60Volt, 0.025Ω, MEGA RAD HARD HEXFET TRANSISTOR(60V, 0.025Ω, MEGA抗輻射 HEXFET 晶體管)
IRH8054 60Volt, 0.025Ω, MEGA RAD HARD HEXFET TRANSISTOR(60V, 0.025Ω, MEGA抗輻射 HEXFET 晶體管)
IRH7250SE 200Volt, 0.10Ω, MEGA RAD HARD HEXFET TRANSISTOR(200V, 0.10Ω, MEGA抗輻射 HEXFET 晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRGS14C40LPBF 功能描述:IGBT 晶體管 430V LOW-VCEON DISCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGS14C40LPBF-EL 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRGS14C40LTRL 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TRANSISTOR COLLECTOR EMITTER VOLTAG
IRGS14C40LTRLP 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IRGS14C40LTRR 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TRANSISTOR COLLECTOR EMITTER VOLTAG
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