- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377520 > IRH7250SE (International Rectifier) 200Volt, 0.10Ω, MEGA RAD HARD HEXFET TRANSISTOR(200V, 0.10Ω, MEGA抗輻射 HEXFET 晶體管) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRH7250SE |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | 200Volt, 0.10Ω, MEGA RAD HARD HEXFET TRANSISTOR(200V, 0.10Ω, MEGA抗輻射 HEXFET 晶體管) |
| 中文描述： | 200Volt，0.10Ω，美佳RAD數(shù)據(jù)通信硬的HEXFET晶體管（200V的電壓，0.10Ω，美佳抗輻射的HEXFET晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 147K |
| 代理商： | IRH7250SE |
IRH7250SE Devices
Pre-Irradiation
4
www.irf.com
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
5.0V
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
5.0V
1
10
100
1000
5
6
7
8
9
10
11
12
13
VDS
20μs PULSE WIDTH
V , Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
T = 25 C
°
T = 150 C
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
T , Junction Temperature( C)
R
(
D
V
=
I
=
GS
D
12V
26A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRH8250 | LED, ULTRA BRIGHT GREEN T/H |
| IRH7250 | REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTOR |
| IRH93250 | P-Channel, -200 Volt, 0.315 Ω, RAD HARD HEXFET(P 溝道,-200 V,0.315 Ω,抗輻射 HEXFET晶體管) |
| IRHE3130 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFCACE MOUNT(LCC-18) |
| IRHE4130 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFCACE MOUNT(LCC-18) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRH7450 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRH7450SE | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRH7450SESCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRH8054 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRH8130 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。