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參數(shù)資料
| 型號： | IRHE3230 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-18) |
| 中文描述： | 抗輻射功率MOSFET表面貼裝（持有LCC - 18） |
| 文件頁數(shù)： | 11/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 269K |
| 代理商： | IRHE3230 |
www.irf.com
11
Pre-Irradiation
IRHE7230, JANSR2N7262U
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
12 V
Fig 30b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 30a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 29c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 29b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 29a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHE4230 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-18) |
| IRHF53034 | 60V, N-CHANNEL Thru-hole Radiation Hardened Power MOSFET(60V,通孔安裝抗輻射功率N溝道MOS場效應管) |
| IRHF54034 | 60V, N-CHANNEL Thru-hole Radiation Hardened Power MOSFET(60V,通孔安裝抗輻射功率N溝道MOS場效應管) |
| IRHF57034 | 60V, N-CHANNEL Thru-hole Radiation Hardened Power MOSFET(60V,通孔安裝抗輻射功率N溝道MOS場效應管) |
| IRHF58034 | 60V, N-CHANNEL Thru-hole Radiation Hardened Power MOSFET(60V,通孔安裝抗輻射功率N溝道MOS場效應管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRHE3330SE | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHE4110 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHE4110SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHE4110SCV | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHE4130 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
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